iBasso

AMP17

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iBasso AMP17

iBasso toont opnieuw zijn technologische voorsprong binnen de wereld van hoogwaardige draagbare audiotoestellen. De AMP17 is de eerste hoofdtelefoonversterker waarin galliumnitride (GaN) wordt toegepast. In vergelijking met traditionele MOSFET's of bipolaire transistors bieden GaNFET's een elektronenmobiliteit tot 2000 cm²/V·s, wat resulteert in hogere elektronsnelheden en lagere geleidingsverliezen bij hoge frequenties.

De totale Miller-lading (QGD) van GaNFET’s is aanzienlijk lager dan die van conventionele MOSFET’s met een vergelijkbare weerstand. Deze eigenschap maakt snellere schakelsnelheden mogelijk, wat in audioversterkers leidt tot een verbeterde transiënte respons, een groter dynamisch bereik en uiterst nauwkeurige controle.

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